%0 Journal Article
%T First Principle Calculation of the Electronic Structure and Optical Properties of Impurity-Doped β-FeSi2 Semiconductors<br>掺杂β-FeSi2的电子结构及光学性质的第一性原理研究
%A Yan Wanjun
%A Xie Quan
%A <br>闫万珺
%A 谢泉
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法,对掺入Mn,Cr,Co,Ni的β-FeSi2的几何结构、能带结构和光学性质进行了研究.计算结果表明:(1)杂质的掺入改变了晶胞体积及原子位置,掺杂足调制材料电子结构的有效方式;(2)系统总能量的计算表明Mn掺杂时倾向于置换Fel位的Fe原子,而Cr,Co,Ni倾向于取代Fell位的Fe原子;能带结构的计算表明掺Mn,Cr使得β-FeSi2的费米面向价带移动,形成了P型半导体;而掺Co,Ni则使得β-FeSi2的费米面向导带移动,形成了n型半导体;(3)杂质原子的掺入在费米面附近提供了大量的载流子,改变了电子在带间的跃迁,对β-FeSi2的光学性质造成影响.
%K 掺杂β-FeSi2
%K 几何结构
%K 能带结构
%K 光学性质
%K 第一性原理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0453DF2D9C370CB8F30FD9DBEA29BEDE&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=B31275AF3241DB2D&sid=39B73ADA6F3DD05F&eid=D542ADE6529F4059&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=22