%0 Journal Article
%T 10GHz 0.25μm CMOS LC压控振荡器
%A 王欢
%A 王志功
%A 冯军
%A 章丽
%A 李伟
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 采用标准0.25μm CMOS工艺实现了10GHz LC压控振荡器.为了适应高频工作，并实现低相位噪声，该压控振荡器采用了手动优化的带中心抽头的对称电感，将A-MOS变容二极管与无源金属-绝缘层-金属电容串联，并采用了带LC滤波器的尾电流源.测试结果显示，当振荡频率为10.2GHz时，在1MHz频偏处相位噪声为-103.2dBc/Hz，调谐范围为11.5%. 供电电压为3.3V时，核心电路功耗为9.0mW. 芯片面积为0.67mm×0.58mm.
%K 压控振荡器
%K LC振荡器
%K CMOS工艺
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F1C831257309A616BC68CDA6A8E18557&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=38B194292C032A66&sid=D8B37A0210DB6B9D&eid=F176272DD933A0BB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=14