%0 Journal Article
%T A Structural Investigation of 3C-SiC Film Hetero-Epitaxial Grown on 6H-SiC Substrate<br>6H-SiC衬底上异质外延3C-SiC薄膜的结构研究
%A Lin Tao
%A Li Qingmin
%A Li Lianbi
%A Yang Ying
%A Chen Zhiming
%A <br>林涛
%A 李青民
%A 李连碧
%A 杨莺
%A 陈治明
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 以SiH4和C3H8为反应源,在1250℃下,采用低压热壁化学气相淀积法在6H-SiC衬底上异质外延生长了3C-siC薄膜.扫描电镜和原子力显微镜测试结果显示,样品表面光滑、无明显岛状结构物质.剖面透射电镜照片显示SiC外延层致密均匀、界面平整,厚度约为50nm.高分辨透射电镜结果显示,衬底与外延层分别为排列整齐的6H-SiC结构和3C-SiC结构,两者过渡平坦、界面处无其他晶型.选区电子衍射花样标定结果再次说明外延薄膜为闪锌矿结构的3C-SiC,计算的晶格常数为0.4362nm.
%K SiC
%K chemical vapour deposition
%K hetero-epitaxial
%K transmission electron microscopy<br>碳化硅
%K 化学气相沉积
%K 异质外延
%K 透射电子显微镜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D23FC916BE3A79F17C4259E49C3F34F0&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=94C357A881DFC066&sid=66973F362693F62B&eid=384C451D3BE0C38C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=17