%0 Journal Article
%T Low-field mobility and carrier transport mechanism transition in nanoscale MOSFETs<br>纳米尺度MOSFETs中低场迁移率及输运机理质变研究
%A Liu Hongwei
%A Wang Runsheng
%A Huang Ru
%A Zhang Xing
%A <br>刘宏伟
%A 王润声
%A 黄如
%A 张兴
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文利用流量散射方法研究了纳米尺度MOSFETs中载流子的输运特性，重点分析了低场迁移率和输运机理质变。针对不同器件结构的MOSFETs，我们给出了一个相同的闭合形式的低场迁移率表达式，它对于漂移扩散输运和准弹道输运都是有效的。基于实验测试结果，我们首先提取了长沟低场迁移率和低场平均自由程，进而从实验和理论上分析了载流子输运机理质变。我们发现，尽管MOSFET中迁移率随沟长缩小而降低，但是低场平均自由程几乎是个常量，它可以作为器件是否实现准弹道输运的尺度判据，并有效地表征载流子的输运机理从漂移扩散输运向准弹道输运的质变。
%K mobility
%K low-field mean free path
%K transport mechanism transition<br>迁移率，
%K 低场平均自由程，输运机理质变
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=749183FCD78D99C7AF1676E014247EB4&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=E158A972A605785F&sid=111261BB4169B13A&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0