%0 Journal Article
%T Optimization and Analysis of Magnesium Doping in MOCVD Grown p-GaN<br>MOCVD生长的p型GaN薄膜中Mg掺杂的优化与分析
%A Zhang Xiaomin
%A Wang Yanjie
%A Yang Ziwen
%A Liao Hui
%A Chen Weihu
%A Li Ding
%A Li Rui
%A Yang Zhijian
%A Zhang Guoyi
%A Hu Xiaodong
%A <br>张晓敏
%A 王彦杰
%A 杨子文
%A 廖辉
%A 陈伟华
%A 李丁
%A 李睿
%A 杨志坚
%A 张国义
%A 胡晓东
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 通过优化Mg流晕增强了MoCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明卒穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到极大值后开始降低;迁移率始终随Mg流量的升高而降低.最优的样品在室温下空穴浓度达到4.1×1017cm-3,电阻率降至1Ω·cm.考虑施主型缺陷MGaVN的自补偿作用,计算了空穴浓度随掺杂浓度变化的曲线关系.计算结果表明自补偿系数随掺杂浓度的增大而增大;空穴浓度首先随掺杂浓度的增大而增加,存受主浓度为NA≈4×1019左右时达到极大值,之后随着掺杂浓度的增大而迅速降低.XRD数据表明在实验范围内晶体缺陷密度随着掺杂浓度的降低而降低.
%K MOCVD
%K p-GaN
%K self-compensation
%K magnesium doping
%K MOCVD<br>p型GaN
%K 自补偿
%K 掺杂浓度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AA024A698A8B999551F80DD58A1C0383&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=5D311CA918CA9A03&sid=8090F7AAC926756F&eid=9F9D3173F7EC760A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10