%0 Journal Article
%T A 680 V LDMOS on a thin SOI with an improved field oxide structure and dual field plate<br>具有改进的场氧结构和双场板的680V薄膜SOI LDMOS
%A Wang Zhongjian
%A Cheng Xinhong
%A Xia Chao
%A Xu Dawei
%A Cao Duo
%A Song Zhaorui
%A Yu Yuehui
%A Shen Dashen
%A <br>王中健
%A 程新红
%A 夏超
%A 徐大伟
%A 曹铎
%A 宋朝瑞
%A 俞跃辉
%A 沈达身
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 本文通过仿真和实验研究了一种具有改进的场氧结构和双场板的680V薄膜SOI LDMOS器件。新场氧结构通过“氧化-刻蚀-再氧化”过程形成，该结构所需的总氧化时间较短，且场氧表面与顶层硅几乎平齐。通过在场氧上扩展多晶硅，以及在介质层上形成长的金属场板来达到改善开态电阻的目的。通过设计最优化的漂移区注入掩膜板来实现漂移区线性掺杂分布从而获得均一的横向电场。采用与CMOS工艺兼容的工艺，在具有1.5微米的顶层硅和3微米的埋氧层的注氧键合SOI上成功制备LDMOS器件。测试结果显示，该器件反向击穿电压达680V，开态电阻为8.2ohm.mm2.
%K SOI LDMOS
%K field oxide
%K field plate
%K breakdown voltage<br>绝缘体上硅
%K 横向双扩散场效应管
%K 场氧
%K 场板
%K 击穿电压
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9FDF75195748F95D003A575D70F07EE8&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=94C357A881DFC066&sid=3DE10300D7377C5A&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=15