%0 Journal Article
%T Effects of Annealing on Atomic Interdiffusion and Microstructures in Fe/Si Systems<br>退火对Fe/Si结构原子间互扩散及显微结构的影响
%A Zhang Jinmin
%A Xie Quan
%A Zeng Wuxian
%A Liang Yan
%A Zhang Yong
%A Yu Ping
%A Tian Hua
%A <br>张晋敏
%A 谢泉
%A 曾武贤
%A 梁艳
%A 张勇
%A 余平
%A 田华
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 在Si（100）衬底上,用直流磁控溅射沉积约100nm的纯金属Fe膜,然后在600-1000℃真空退火2h，用能量为3MeV的C离子进行了卢瑟福背散射（RBS）测量,并用SIMNRA6.0程序分析了测量结果,给出了界面附近Fe原子与Si原子间互扩散的完整图像，扫描电镜（SEM）观察和X射线衍射（XRD）测量表征了不同温度退火2h后Fe/Si系统表面的显微结构和晶体结构，由RBS、XRD测量与SEM观察结果,分析了退火过程对磁控溅射制备的Fe/Si双层膜结构原子间的互扩散行为、硅化物形成及显微结构的影响。
%K magnetron sputtering
%K annealing
%K RBS
%K atomic interdiffusion
%K microstructure<br>磁控溅射
%K 退火
%K RBS
%K 互扩散
%K 显微结十句
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D6DCD8BF8453E53CA3523739F7554657&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=59906B3B2830C2C5&sid=3A61856D91CF5877&eid=B2F4AE6815C8FC11&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=40