%0 Journal Article
%T Influence of growth conditions on the V-defects in InGaN/GaN MQWs<br>生长条件对InGaN/GaN多量子阱表面v型缺陷的影响
%A Ji Panfeng
%A Liu Naixin
%A Wei Xuecheng
%A Liu Zhe
%A Lu Hongxi
%A Wang Junxi
%A Li Jinmin
%A <br>纪攀峰
%A 刘乃鑫
%A 魏学成
%A 刘喆
%A 路红喜
%A 王军喜
%A 李晋闽
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 我们研究了生长温度、TMIn/TEGa和Ⅴ/Ⅲ比对 InGaN/GaN多量子阱表面v型缺陷的影响。当TMIn的流量从180sccm增加到200sccm,v型缺陷的密度也从2.721018/cm2 增加到了5.241018 /cm2, v型缺陷的深度和宽度也随着TMIn流量的增加而增加。当生长温度从748℃增加到758℃, v型缺陷的密度分别是2.05108/cm2, 2.72108/cm2 和 4.23108/cm2,V型缺陷的密度随着生长温度的增加而增加。当NH3的流量从5000sccm增加到8000sccm, v型缺陷的密度分别为 6.341018/cm2, 2.721018/cm2, 4.131018/cm2。我们在753℃, TMIn 流量为180sccm, NH3 流量为6600sccm时,得到了晶体质量最好的InGaN/GaN 多量子阱,表面平整,v型缺陷的密度也比较少。V型缺陷的深度从10nm到30nm,宽度从100nm到200nm,为了抑制v型缺陷对GaN基LEDs反向电流(IR)和静电放电 (ESD) 的影响,我们需要生长更厚的p-GaN来填充这些v型缺陷。
%K V-defect density
%K width
%K depth
%K TMIn/TEGa
%K NH3
%K temperature<br>v型缺陷
%K 密度
%K 深度
%K 宽度
%K TMIn/TEGa
%K NH3流量
%K 温度。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A0C0AC355ED3D774E9873813B330ECCB&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=4B25E79EF7F0BAFB&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7