%0 Journal Article
%T RF-MBE Growth of InAlGaN Epilayer on Sapphire Substrate<br>蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长
%A Wang Baozhu
%A Wang Xiaoliang
%A Wang Xiaoyan
%A Wang Xinhu
%A Guo Lunchun
%A Xiao Hongling
%A Wang Junxi
%A Liu Hongxin
%A Zeng Yiping
%A Li Jinmin
%A <br>王保柱
%A 王晓亮
%A 王晓燕
%A 王新华
%A 郭伦春
%A 肖红领
%A 王军喜
%A 刘宏新
%A 曾一平
%A 李晋闽
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜.在生长InAlGaN外延层时,获得了外延膜的二维生长.卢瑟福背散射测量结果表明,InAlGaN外延层中In,Al和Ga的组分分别为2%,22%和76%,并且元素的深度分布比较均匀.InAlGaN(0002)三晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为4.8′.通过原子力显微镜观察外延膜表面存在小山丘状的突起和一些小坑,测量得到外延膜表面的均方根粗糙度为2.2nm.利用光电导谱测量InAlGaN的带隙为3.76eV.
%K RF-MBE
%K InAlGaN
%K RHEED
%K XRD
%K AFM<br>RF-MBE
%K 铟铝镓氮
%K RHEED
%K XRD
%K AFM
%K 蓝宝石衬底
%K 单晶
%K InAlGaN
%K 外延膜
%K 生长
%K Substrate
%K Sapphire
%K Epilayer
%K 带隙
%K 电导谱
%K 均方根粗糙度
%K 测量结果
%K 小坑
%K 山丘
%K 存在
%K 膜表面
%K 显微镜
%K 原子力
%K 半高宽
%K 曲线
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E6FA39B809552FC2&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=5D311CA918CA9A03&sid=83525804D8B40525&eid=09D89DB7E3DF529E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=19