%0 Journal Article
%T A High-PSRR CMOS Bandgap Reference Without Resistor<br>一种无电阻高电源抑制比的CMOS带隙基准源
%A Zhou Qianneng
%A Wang Yongsheng
%A Yu Mingyan
%A Ye Yizheng
%A Li Hongjuan
%A <br>周前能
%A 王永生
%A 喻明艳
%A 叶以正
%A 李红娟
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 提出一种输出低于1V的、无电阻高电源抑制比的CMOS带隙基准源(BGR).该电路适用于片上电源转换器.用HJTC0.18μm CMOS工艺设计并流片实现了该带隙基准源,芯片面积(不包括pad和静电保护电路)为0.031mm2.测试结果表明,采用前调制器结构,带隙基准源电路的输出在100Hz与lkHz处分别获得了-70与-62dB的高电源抑制比.电路输出一个0.5582V的稳定参考电压,当温度在0～85℃范围内变化时,输出电压的变化仅为1.5mV.电源电压VDD在2.4～4V范围内变化时,带隙基准输出电压的变化不超过2mV.
%K CMOS bandgap reference
%K current source circuit
%K PSRR
%K pre-regulator<br>CMOS带隙基准
%K 电流源
%K 电源抑制比
%K 预调整器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0CE4FB928DC29D980F7F1A4853A0E574&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=5D311CA918CA9A03&sid=388804B5826A17DB&eid=8424755CAF377B4D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=12