%0 Journal Article
%T Photoluminescence of the Beryllium Acceptor at the Centre of Quantum Wells<br>量子阱中Be受主的光致发光
%A 郑卫民
%A 李素梅
%A 吕英波
%A 王爱芳
%A 吴爱玲
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 报道了掺杂在GaAs体材料中和δ掺杂在一系列GaAs/AlAs多量子阱中的Be受主带间跃迁的光致发光. 实验所用样品，GaAs体材料中均匀掺杂Be受主的外延单层和一系列量子阱宽度从3到20nm，并在量子阱中央进行了Be受主δ掺杂的GaAs/AlAs多量子阱样品都是通过分子束外延技术制备的. 在4,20,40,80及120K不同温度下，分别对上述样品进行了光致发光谱的测量，清楚地观察到了受主束缚激子从1S3/2(Γ6)基态到同种宇称2S3/2(Γ6)激发态的两空穴跃迁，并从实验上得到了不同量子阱宽度下Be受主从1S3/2(Γ6)到2S3/2(Γ6)态的带间跃迁能量. 理论上利用变分原理，在单带有效质量模型和包络函数近似下，数值计算了Be受主1S3/2(Γ6)→2S3/2(Γ6)的跃迁能量随量子阱宽度的变化关系，比较发现理论计算和实验结果符合较好.
%K 量子限制的受主
%K δ掺杂
%K 多量子阱
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=75CDAD4A7EB4FC0ED1F8662BEC7D7738&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=708DD6B15D2464E8&sid=36AB0E5A289F748B&eid=8D601B5F3948DDF6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=19