%0 Journal Article
%T Growth of InAs/GaAs Quantum Dots and Quantum Rings by Droplet Epitaxy Based on Patterned Substrate<br>基于图形衬底的InAs/GaAs量子点和量子环液滴外延
%A Zhao Jian
%A Chen Yonghai
%A Wang Zhanguo
%A Xu Bo
%A <br>赵暕
%A 陈涌海
%A 王占国
%A 徐波
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术，而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果. 作者在GaAs μm级别图形衬底上进行了InAs的液滴外延生长，并在不同结构的图形衬底上得到了不同的InAs量子点和量子环生长结果.基于生长结果，分析了图形衬底对液滴外延的影响和液滴外延下量子点和量子环的形成机制以及分布规律.
%K droplet epitaxy
%K patterned substrate
%K quantum dot
%K quantum ring
%K distribution behavior<br>液滴外延
%K 图形衬底
%K 量子点
%K 量子环
%K 分布规律
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1E2AC587CB89D7E3EC7295FE294B8FF0&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=D43C4A19B2EE3C0A&eid=67289AFF6305E306&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13