%0 Journal Article
%T High-Power Ridge-Waveguide Tapered Diode Lasers at 14xx nm<br>高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制
%A Li Jing
%A Ma Xiaoyu
%A Wang Jun
%A <br>李璟
%A 马骁宇
%A 王俊
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 初步设计14xx nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器材料和器件结构,利用MOCVD生长14xx nm InGaAsP/InP量子阱激光器外延片,引入腔破坏凹槽(cavity-spoiling grooves)将有源层刻蚀断以隔离从锥形区反向传输回的高阶模,进一步改善远场光束质量.保持总腔长1900μm不变,改变脊形区的长度,其长度分别为450,700和950μm.对比三种情况的最高输出功率和远场特性,发现LRW＝700μm时,器件特性参数和远场光束质量最优,斜率效率为0.32W/A,饱和输出功率为1.21W,其远场为近衍射极限的高斯分布,发散角为29°×9.6°.当固定脊形区长度为700μm,改变锥形区长度,发现当锥形区长度为1000μm时,器件特性参数进一步提高,斜率效率达0.328W/A,饱和输出功率为1.27W,远场仍为近似高斯分布.
%K high-power
%K tapered diode lasers
%K ridge waveguide 14xx nm
%K InGaAsP/InP<br>量子阱激光器
%K 锥形增益
%K 脊形波导
%K 14xx
%K nm
%K InGaAsP／InP
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6ADF6AE4DC086637&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=6270DC1B5693DDAF&eid=4BB057F167CF3A60&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=18