%0 Journal Article
%T Horizontal Growth and Ultraviolet Sensitivity Characteristics of ZnO Nanowires on Sapphire Substrates<br>蓝宝石衬底上水平生长ZnO纳米线及紫外敏感性能研究
%A Deng Hong
%A Tang Bin
%A Cheng He
%A Wei Min
%A Chen Jinju
%A <br>邓宏
%A 唐斌
%A 程和
%A 韦敏
%A 陈金菊
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 在无催化剂条件下,采用化学气相沉积(CVD)方法在蓝宝石(110)衬底上制备了ZnO纳米线.X射线衍射(XRD)图谱上只有ZnO的(100)衍射峰和(110)衍射峰.扫描电子显微镜分析表明,ZnO纳米线在蓝宝石衬底上水平生长.在样品上蒸镀了金叉指电极,以256nm的紫外光作为光源,测试了样品的紫外光敏感性能,研究表明水平生长的ZnO纳米线对紫外光具有较快的响应,在5V偏压下,光电流与暗电流比为30;当波长为354nm时光响应度达到最大值为0.56A/W.
%K ZnO nanowires
%K ultraviolet
%K I-V characteristic
%K photo-responsibility<br>ZnO纳米线
%K 紫外敏感
%K I-V特性
%K 光响应度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=548216657E86989A&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=014B591DF029732F&eid=6AC2A205FBB0EF23&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11