%0 Journal Article
%T 1.55μm InP-InGaAsP Quantum-Well Lasers Fabricated on Si Substrates by Wafer Bonding<br>键合法制备硅基1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器
%A Yu Lijuan
%A Zhao Hongquan
%A Du Yun
%A Huang Yongzhen
%A <br>于丽娟
%A 赵洪泉
%A 杜云
%A 黄永箴
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 在硅基上成功地制备出了1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器.设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料,通过直接键合技术,将Si衬底与InP-InGaAsP外延片键合到一起.剥离去掉InP衬底后,在5～6μm的薄膜上制备出20μm条形边发射激光器.室温下,阈值电流160mA(电流密度为2.7kA/cm2),功率可达10mW以上(在约350mA电流下),实现了1.55μm长波长边发射激光器与Si的集成.目前,该结果国际上还未见报道.
%K wafer bonding
%K long-wavelength laser
%K Si substrate<br>直接键合
%K 长波长激光器
%K 硅基
%K 直接键合技术
%K 法制
%K 硅基
%K 量子阱激光器
%K Wafer
%K Bonding
%K Substrates
%K 国际
%K 结果
%K 集成
%K 长波长
%K 电流密度
%K 功率
%K 阈值电流
%K 室温
%K 边发射激光器
%K 膜上
%K 剥离
%K 外延片
%K 结构材料
%K 生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F11C53BF358513C8&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=E158A972A605785F&sid=6D237E9625601349&eid=6EDA906E07280FB0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8