%0 Journal Article
%T A Novel Fully On-Chip CMOS Low-Dropout Linear Regulator with Ultra Low Noise<br>一种新型的全片内低噪声CMOS低压差线性稳压器
%A Mao Cui
%A He Lenian
%A Yan Xiaolang
%A <br>毛毳
%A 何乐年
%A 严晓浪
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 提出了一种全片内集成的低噪声CMOS低压差线性稳压器(LDO).首先建立传统LDO的噪声模型,分析了关键噪声来源并提出采用低噪声参考电压源来降低LDO输出噪声的方法.其次,提出一种带数字校正的基于阈值电压的低噪声参考电压源,用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计并完成了为低相位噪声锁相环(PLL)电路供电的全片内集成低噪声LDO的流片和测试.该LDO被集成于高性能射频接收器芯片中.仿真结果表明,LDO的输出噪声低于26nV/√Hz@100kHz,14nV/√Hz@1MHz,电源抑制比达到-40dB@1MHz,全频率范围内低于-34dB.测试结果表明采用该低噪声LDO的PLL电路与采用传统LDO的PLL电路相比,其相位噪声降低6dBc@lkHz,低2dBc@200kHz.
%K low-dropout regulator
%K low noise
%K SOC
%K radio frequency receiver<br>低压差线性稳压器
%K 低噪声
%K 片上集成
%K 射频接收器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=56054D8A6924564C038051E09FADADAE&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=5D311CA918CA9A03&sid=BA79B7D82F2498A4&eid=BF7851EF606736C9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9