%0 Journal Article
%T An Experimental Study of Aluminum-Induced Crystallization of Amorphous Silicon Thin Film in Different Atmospheres<br>退火气氛对铝诱导a-Si薄膜结晶过程的影响
%A Wang Chenglong
%A Fan Duowang
%A Sun Shuo
%A Zhang Fujia
%A <br>王成龙
%A 范多旺
%A 孙硕
%A 张福甲
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 以玻璃为衬底,室温条件下采用直流磁控溅射技术制备了Glass/Al/a-Si样品.在H2,N2和空气3种不同气氛中进行了退火处理.分别采用XRD,Raman光谱和SEM研究了退火气氛对a-Si薄膜销诱导晶化(AIC)过程的影响.XRD实验结果表明:a-Si薄膜在H2气氛中400℃下经过90min的退火处理就能得到结晶较好的poly-si薄膜.Raman光谱实验结果表明:在500℃下退火处理,相同时间内H2气氛中a-Si结晶程度最好,空气气氛中结晶程度最差.这是因为高温H2退火过程中,高活性H原子能将弱的Si-Si键破坏,并与之反应形成强Si-Si键,使得薄膜结构更加稳定有序,同时能加速薄膜中氧的外扩散,促使薄膜晶化.
%K AIC<br>a-Si薄膜
%K 退火
%K 晶化
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EA5B590F0D46C6C3624E24F563A3FD35&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=5D311CA918CA9A03&sid=E2EDBBF9B5CDD657&eid=D9E4B4338A9AF29A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11