%0 Journal Article
%T 60GHz Wideband LNA MMIC with High Gain<br>60GHz高增益宽带单片集成低噪声放大器
%A Hou Yang
%A Zhang Jian
%A Li Lingyun
%A Sun Xiaowei
%A <br>侯阳
%A 张健
%A 李凌云
%A 孙晓玮
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计和制作了一款宽带单片集成低噪声放大器.放大器设计采用四级级联的拓扑结构以获得高增益.芯片尺寸2mm×lmm.实测性能指标为:工作频段45～65GHz,增益18±1.5dB,输入驻波比小于3,输出驻波比小于2.3,直流功耗96mW.在增益、带宽和功耗上达到国际现有产品指标.该芯片可被应用于60GHz宽带无线通信系统.
%K pHEMT
%K MMIC
%K LNA
%K 60GHz<br>赝配高电子迁移率晶体管
%K 单片微波集成电路
%K 低噪声放大器
%K 60GHz
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=39B8E0B5720E024F5169B6D44C0CCFED&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=A126866E01788114&eid=FFFB69BAAED96604&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8