%0 Journal Article
%T Thermal Sensitive Characteristics of Phosphor-Doped Hydrogenated Amorphous Silicon by PECVD<br>非晶硅薄膜的红外热敏特性
%A Ma Tieying
%A Li Tie
%A Liu Wenping
%A Wang Yuelin
%A <br>马铁英
%A 李铁
%A 刘文平
%A 王跃林
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 用PECVD技术制备了不同掺磷比的非晶硅薄膜，然后退火改性. 红外透射光谱揭示了薄膜内部的键合模式随生长工艺条件变化的规律；测量和分析了非晶硅红外热吸收及电阻温度系数与薄膜结构之间的关系. 综合考虑非晶硅电阻率和电阻温度系数两个因素，采用掺杂比0.025，退火温度600℃的薄膜样品进一步研究.
%K amorphous silicon
%K annealing
%K FTIR
%K temperature coefficient resistance<br>非晶硅
%K 退火
%K 红外透射
%K 电阻温度系数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2CB526F2A24669F53EB2613660854CE8&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=708DD6B15D2464E8&sid=D53D369D01F50334&eid=561B828162949051&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10