%0 Journal Article
%T Monolithic Integrated Switches and Logic Control Circuits with E/D-Mode GaAs PHEMTs<br>GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路
%A Li Ming
%A Zhang Haiying
%A Xu Jingbo
%A Fu Xiaojun
%A <br>黎明
%A 张海英
%A 徐静波
%A 付晓君
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 利用GaAs基 E/D PHEMT 技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路的制作工艺和设计方法，采用0.8μm GaAs E/D PHEMT工艺，制备出性能良好的解码器功能内置的DC~10GHz SPDT MMIC，基本实现逻辑电路与开关电路的集成. 开关电路在DC~10GHz内插入损耗小于1.6dB，隔离度大于24dB；整个电路只需要1位控制信号，有效地减少了开关电路的控制端口数目，节省了芯片面积，为GaAs多功能电路的研究奠定了基础.
%K E/D PHEMT
%K logic control circuits
%K SPDT
%K inverter<br>增强／耗尽型PHEMT
%K 逻辑控制电路
%K 单刀双掷开关（SPDT)
%K 反相器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A7C70BCEAE598C2CAFACCA03315F0BCB&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=AE1A5CF00DFD739A&eid=208A9AB486055DA4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=9