%0 Journal Article
%T An Improved High Fan-in Domino Circuit for High Performance Microprocessors<br>高性能微处理器中一种改进的高扇入多米诺电路设计与实现
%A Feng Chaochao
%A Chen Xun
%A Yi Xiaofei
%A Zhang Minxuan
%A <br>冯超超
%A 陈迅
%A 衣晓飞
%A 张民选
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 设计实现了一种改进的高扇入多米诺电路结构. 该电路的nMOS下拉网络分为多个块，有效降低了动态节点的电容，同时每一块只需要一个小尺寸的保持管. 由于省去了标准多米诺逻辑中的尾管，有效地提升了该电路的性能. 在0.13μm工艺下对该结构实现的一个64位或门进行模拟，延迟为63.9ps，功耗为32.4μW，面积为115μm2. 与组合多米诺逻辑相比，延迟和功耗分别降低了55%和38%.
%K high fan-in
%K domino logic
%K high performance
%K keeper transistor<br>高扇入
%K 多米诺逻辑
%K 高性能
%K 保持管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4BF1ADBB915BD242878EC5FC196B2A58&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=76F79DF7CA22520E&eid=93ACFBACE750BC19&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7