%0 Journal Article
%T A 4 GS/s 4 bit ADC with 3.8 GHz analog bandwidth in GaAs HBT technology<br>基于GaAs HBT工艺的3.8GHz带宽4GS/s 4bit超高速ADC
%A Wu Danyu
%A Zhou Lei
%A Guo Jiannan
%A Liu Xinyu
%A Jin Zhi
%A Chen Jianwu
%A <br>吴旦昱
%A 周磊
%A 郭建楠
%A 刘新宇
%A 金智
%A 陈建武
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 报道了一种4GS/s 4bit超宽带（UWB）模数转换器（ADC）芯片，采用1.4um发射级宽度、2层金属布线的InGaP/GaAs HBT工艺实现。该芯片采用折叠内插架构来最小化其面积和电路规模。为了消除折叠内插电路中的偶发错误码，该ADC采用了一种新颖的比特同步电路。实测结果表明，其在4GS/s采样率下具有3.8GHz的模拟带宽和2.6GHz的有效精度带宽（ERBW），在2.6GHz输入带宽内ADC的有效位数大于3.4bit，在4GHz输入带宽内有效位大于3bit。在6.001GHz输入并将输入功率提高4dB后，有效位仍然高达3.49bit，表明该ADC可采样的频率范围包含从第一到第三奈奎斯特区（DC~6GHz）。该芯片的DNL和INL在4GS/s下均小于±0.15LSB，总面积为1.45×1.45 mm2，总功耗为1.98W。
%K ADC
%K folding
%K interpolating
%K GaAs
%K ultra-wide-band
%K synchronization<br>模拟数字转换器
%K 分辨率带宽
%K ADC
%K GaAs
%K GHz
%K HBT
%K GS
%K 技术
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9CB13B1D439D6A7666F7EC587AC87F2B&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=B31275AF3241DB2D&sid=E77EEB72EA6E0D10&eid=DF92D298D3FF1E6E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0