%0 Journal Article
%T A Submicron InGaAs/InP Heterojunction Bipolar Transistor with ft of 238GHz<br>截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管
%A Jin Zhi
%A Cheng Wei
%A Liu Xinyu
%A Xu Anhuai
%A Qi Ming
%A <br>金智
%A 程伟
%A 刘新宇
%A 徐安怀
%A 齐鸣
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 研制成功了一种无微空气桥的亚微米InP基异质结双极晶体管（HBT) . 发展了小于100nm的发射极侧向腐蚀工艺，实现了亚微米的InP基HBT. 发射极宽度的减小有效提高了频率特性，发射极面积为0.8μm×15μm的HBT的电流增益截止频率达到了238GHz. 发展了基极-集电极的侧向过腐蚀工艺，有效减小了结面积，提高了最大振荡频率. Kirk电流密度达到了3.1mA/μm2. 据我们所知，电流增益截止频率是目前国内三端器件中最高的，Kirk电流密度是国内报道的HBT中最高的. 这对于HBT器件在超高速电路中的应用具有十分重要的意义.
%K InP
%K heterojunction bipolar transistor
%K planarization
%K high frequency<br>InP
%K 异质结构双极晶体管
%K 平坦化
%K 高频
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A38F2EA9D0437AF874D0975206D1DAFB&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=A75E3615CCFA3AD1&eid=8080149E52358D01&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8