%0 Journal Article
%T Determination of channel temperature for AlGaN/GaN HEMTs by high spectral resolution micro-Raman spectroscopy<br>利用高波数分辨率的显微喇曼光谱法测定AlGaN/GaN HEMT的沟道温度
%A Zhang Guangchen
%A Feng Shiwei
%A Li Jingwan
%A Zhao Yan
%A Guo Chunsheng
%A <br>张光沉
%A 冯士维
%A 李静婉
%A 赵艳
%A 郭春生
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 本文利用高波数分辨率的显微喇曼方法测量了AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度。利用显微喇曼系统JYT-64000测量了GaN材料E2模的喇曼声子频率的温度特性。通过洛仑兹拟合方法，喇曼声子频率的实际测量不确定度为?0.035cm-1, 对应于GaN材料温度精度为?3.2℃，为国际所见报道的最高水平。测得的AlGaN/GaN HEMT样品的沟道-管壳热阻为22.8℃/W，与三维热传导模型的仿真结果吻合良好。给出了由显微喇曼方法、脉冲电学法及红外热像法测量出的沟道温度差别的定量分析。
%K HEMT
%K channel temperature
%K micro-Raman spectroscopy<br>HEMT
%K 沟道温度，显微喇曼光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CEC329CE751EFFDA064FD8FAFBA3548E&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=E158A972A605785F&sid=0FA0889A2235ADDB&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=22