%0 Journal Article
%T A 5.4mW Low-Noise High-Gain CMOS RF Front-End Circuit for Portable GPS Receivers<br>用于便携式GPS接收机中的5.4mW低噪声高增益CMOS射频前端电路设计
%A Wang Liangkunn
%A Ma Chengyan
%A Ye Tianchun
%A <br>王良坤
%A 马成炎
%A 叶甜春
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 设计了应用于便携式GPS接收机射频前端中的CMOS低噪声放大器和正交混频器. 该电路中的低噪声放大器采用带源端电感负反馈的输入级，并引入功耗约束下的噪声和输入同时匹配技术. 正交混频器基于吉尔伯特单元. 电路采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺实现，总的电压转换增益为35dB，级联噪声系数为2.4dB，输入1dB压缩点为-22dBm，输入匹配良好，输入回损为-22.3dB, 在1.8V电压供电下，整个全差分电路功耗为5.4mW.
%K CMOS RF IC
%K GPS
%K low-noise amplifiers
%K mixers
%K receivers
%K noise figure<br>CMOS射频集成电路
%K 全球定位系统
%K 低噪声放大器
%K 混频器
%K 接收机
%K 噪声系数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=537C11B763AE19C01AF29A20E306720B&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=49BEA5698E310F48&eid=E641A1E50E600569&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11