%0 Journal Article
%T Extraction of Temperature Parameters and Optimization of the Mextram 504 Model on SiGe HBT<br>SiGe HBT的Mextram 504模型温度参数提取与模型改进
%A Ren Zheng
%A Hu Shaojian
%A Jiang Bin
%A Wang Yong
%A Zhao Yuhang
%A <br>任铮
%A 胡少坚
%A 蒋宾
%A 王勇
%A 赵宇航
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 针对IMEC0．13μm准自对准SiGe BiCMOS工艺制成的基区Ge组分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管，在25～125℃温度范围内，对其进行了包括Early电压，Gummel图形等在内的完整双极晶体管特性曲线测量，提取了该器件在25～125℃范围内的温度可变Mextram 504模型参数．在此基础上，为Mextram 504模型对0．13μm基区Ge组分二阶分布SiGe异质结双极晶体管探索了完整的模型提取方案．提出了对Mextram 504模型温度参数提取方法的改进，优化了提取流程．对SiGe异质结双极晶体管雪崩电流受温度影响的特性进行了讨论，为Mextram模型提出了雪崩外延层的有效厚度的温度变化经验公式和新的雪崩电流温度变化参数，提高了Mextram模型对不同温度下SiGe双极型晶体管进行模拟仿真的精确度．
%K Mextram模型
%K 0．13μm锗硅工艺
%K 异质结双极晶体管
%K 参数提取
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F9D29F39E9732C573C39AF0B98C3689&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=94C357A881DFC066&sid=40700C9CB4E84E3B&eid=5357CC5E80802025&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7