%0 Journal Article
%T A Novel ESD Protection Circuit Based on a CMOS Process<br>一种基于CMOS工艺的新型结构ESD保护电路
%A Zhang Bing
%A Chai Changchun
%A Yang Yintang
%A <br>张冰
%A 柴常春
%A 杨银堂
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 根据全芯片静电放电(ESD)损伤防护理论，设计了一种新型结构保护电路，采用0.6μm 标准CMOS p阱工艺进行了新型保护电路的多项目晶圆(MPW)投片验证. 通过对同一MPW中的新型结构ESD保护电路和具有同样宽长比的传统栅极接地MOS(GG-nMOS)保护电路的传输线脉冲测试,结果表明在不增加额外工艺步骤的前提下，本文设计的新型结构ESD保护电路芯片面积减少了约22%，静态电流更低，而抗ESD电压提高了近32%. 该保护电路通过了5kV的人体模型测试.
%K electrostatic discharge
%K protection circuit
%K transmission line pulse
%K human-body mode<br>静电放电
%K 保护电路
%K 传输线脉冲
%K 人体模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BE31347DFFFCB0094556B4873ADBBBFB&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=F3258B10DFC889AC&eid=FF9809C79A59DC74&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9