%0 Journal Article
%T AlGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band<br>基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计
%A Yao Xiaojiang
%A Li Bin
%A Chen Yanhu
%A Chen Xiaojuan
%A Wei Ke
%A Li Chengzhan
%A Luo Weijun
%A Wang Xiaoliang
%A Liu Dan
%A Liu Guoguo
%A Liu Xinyu
%A <br>姚小江
%A 李宾
%A 陈延湖
%A 陈小娟
%A 魏珂
%A 李诚瞻
%A 罗卫军
%A 王晓亮
%A 刘丹
%A 刘果果
%A 刘新宇
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 研制了一种基于AlGaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路.该电路包含4个10×120 μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器.在偏置条件为VDS=40V,IDS=0.9A时,输出连续波饱和功率在5.4GHz达到41.4dBm,最大的PAE为32.54%,并且功率合成效率达到69%.
%K AlGaN/GaN HEMTs
%K power combining
%K MIC
%K power amplifiers<br>AlGaN／GaN
%K HEMT
%K 功率合成器
%K 混合集成电路
%K 微波功率放大器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DD338C593FAEA517&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=E158A972A605785F&sid=C4BBAD7A2DCC89BC&eid=5A751AE9FA58A3FB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7