%0 Journal Article
%T Inductively Coupled Plasma via Hole Etching of AlGaN/GaN HEMTs on SiC Substrate<br>SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的ICP通孔刻蚀
%A Ren Chunjiang
%A Chen Tangsheng
%A Bai Song
%A Xu Xiaole
%A Jiao Gang
%A Chen Chen
%A <br>任春江
%A 陈堂胜
%A 柏松
%A 徐筱乐
%A 焦刚
%A 陈辰
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 利用ICP对研制的SiC衬底上AlGaN/GaN HEMT刻蚀获得了深度为50μm的接地通孔. 器件通孔制作前首先用机械研磨的方法将衬底减薄至50μm，在背面蒸发Ti/Ni并电镀Ni至3μm作为刻蚀阻挡层；之后利用SF6/O2混合气体的电感耦合等离子体对SiC衬底进行了刻蚀；最后将Cl2和BCl3混合气体的ICP刻蚀技术运用于AlGaN/GaN外延材料的刻蚀，完成了深度为50μm的AlGaN/GaN HEMT通孔制作，通孔侧壁具有一定的斜率，适合良好的金属覆盖以形成器件正面和背面的连接. 这一技术非常适合AlGaN/GaN HEMT及其单片集成电路的研制.
%K SiC
%K SF6
%K ICP<br>碳化硅
%K 六氟化硫
%K 电感耦合等离子体刻蚀
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F1FE7E1E723C455505C2E2C99BEA8150&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=59906B3B2830C2C5&sid=219F34744F662FF5&eid=D0661C157963C52D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=4