%0 Journal Article
%T A 2GHz Power Amplifier Realized in IBM SiGe BiCMOS Technology 5PAe<br>基于IBM SiGe BiCMOS工艺5PAe的2GHz功率放大器设计
%A Song Jiayou
%A Wang Zhigong
%A Peng Yanjun
%A <br>宋家友
%A 王志功
%A 彭艳军
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个2GHz功率放大器. 该放大器采用两级单端结构，除集电极扼流电感外，其余元件全部片上实现，具有集成度高、结构简单的特点. 通过在管子基极和匹配电感中串联电阻，实现了全频段稳定. 键合测试表明，在所有电源电压下电路均能稳定工作. 在VC=3.5V, VB=6V, f=2.0GHz时，小信号增益为20.8dB，输入输出反射系数分别小于-17和-16dB, Pout-2dB约为24dBm. 而在输出功率为25.1dBm时，功率附加效率达到21.5%，二次和三次谐波分别小于-45和-52dBc，因而具有较好的线性度.
%K power amplifier
%K silicon germanium
%K BiCMOS
%K heterojunction bipolar transistor<br>功率放大器
%K SiGe
%K BiCMOS
%K HBT
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F1A2BAD5255D99A5836541CF6287B342&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=708DD6B15D2464E8&sid=1F552201CAFF2426&eid=0FC8B9772E3A7521&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7