%0 Journal Article
%T Growth and Characteristics of ZnTe Single Crystal for THz Technology<br>应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试
%A Wang Reng
%A Fang Weizheng
%A Zhao Pei
%A Zhang Lei
%A Ge Jin
%A Yuan Shixin
%A Zhang Huier
%A Hu Shuhong
%A Dai Ning
%A Chen Xiaoshu
%A Wu Xiaojun
%A He Shan
%A Wang Gang
%A <br>王仍
%A 方维政
%A 赵培
%A 张雷
%A 葛进
%A 袁诗鑫
%A 张惠尔
%A 胡淑红
%A 戴宁
%A 陈晓姝
%A 吴晓君
%A 何 山
%A 王 钢
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 利用Te溶剂方法生长出ZnTe单晶.经X射线衍射测试,发现晶锭中存在沿(110)晶向生长的大晶粒,可以切出10mm×10mm的单晶片.傅里叶红外变换光谱仪测得ZnTe晶体在2.5～20μm波段的红外透过率约为61%.通过测可见-红外波段的透射光谱,得出禁带宽度为2.24eV.利用飞秒激光作用在一块ZnTe单晶同时产生-探测THz脉冲,观察到0.18ps的THz辐射场分布,相应的频谱分布为5THz.
%K Te-solution method
%K ZnTe crystal
%K X-ray diffraction
%K THz<br>Te溶剂方法
%K ZnTe单晶
%K XRD
%K THz
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A29871F7C92BBD7A84CA6D2614E20198&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=94C357A881DFC066&sid=2BCD2FED7562E194&eid=E4D705EE6D9DC112&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=18