%0 Journal Article
%T Extraction of terahertz emission from a grating-coupled high-electron-mobilitytransistor<br>提取光栅耦合的高电子迁移率晶体管中的太赫兹辐射
%A Zhou Yu
%A Li Xinxing
%A Tan Renbing
%A Xue Wei
%A Huang Yongdan
%A Lou Shitao
%A Zhang Baoshun
%A Qin Hua
%A <br>周宇
%A 李欣幸
%A 谭仁兵
%A 薛伟
%A 黄永丹
%A 楼柿涛
%A 张宝顺
%A 秦华
%J 半导体学报
%D 2013
%I 
%X 借助于傅立叶光谱仪，在具有耦合光栅的高电子迁移率晶体管中观察到了波长在400um左右的微弱的太赫兹辐射。同时使用了一种调制探测技术，从而使得太赫兹辐射的绝对功率能够被提取计算出来。并且发现器件的太赫兹辐射功率正比于源漏电流，而黑体辐射功率则与器件电功率有密切关系。此外，太赫兹辐射对于源漏偏置电压及栅压的依赖性，说明太赫兹辐射是由加速电子与光栅的相互作用而引起的。
%K two-dimensional electron system
%K Smith-Purcell radiation
%K grating coupler
%K high-electron-mobility transistor<br>二维电子系统，史密斯-珀赛尔辐射，耦合光栅，高电子迁移率晶体管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4D6BB6A422263A455B7144635DE42F89&yid=FF7AA908D58E97FA&vid=339D79302DF62549&iid=0B39A22176CE99FB&sid=1993734671F0AA68&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13