%0 Journal Article
%T A Study of ZnO/Si (111) Interface Structure by Synchrotron Radiation X-Ray Grazing Incident Diffraction<br>ZnO/Si (111）界面结构的同步辐射掠入射X射线衍射研究
%A Zhao Chaoyang
%A Li Ruipeng
%A Sun Bai
%A Xu Pengshou
%A Zhang Guobin
%A Pan Guoqiang
%A <br>赵朝阳
%A 李锐鹏
%A 孙柏
%A 徐彭寿
%A 张国斌
%A 潘国强
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 在不同的衬底温度下,用脉冲激光沉积(PLD)方法制备了c轴高度取向的ZnO薄膜.采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术研究了ZnO薄膜与Si(111)衬底的界面结构.GID结果表明:不管衬底温度是500℃还是300℃,在无氧气氛下用PLD方法制备的ZnO外延膜均处于压应力状态,且随着X射线探测深度的增加,应力增大.结合常规X射线衍射技术,计算了薄膜内的双轴应力;给出了样品的泊松比和c/a值,得出两样品均接近理想的六方密堆积结构,偏离标准的ZnO值.综合各方面实验结果,说明衬底温度控制在500℃时生长的ZnO薄膜具有较好的晶体质量.
%K zinc oxides
%K pulsed laser deposition
%K grazing incident diffraction
%K synchrotron radiation<br>ZnO
%K PLD
%K 掠入射衍射
%K 同步辐射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5646F94D35B54F6F8B71831F6391CC2E&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=708DD6B15D2464E8&sid=181DAA2DD1AE90C6&eid=2126E0EE2CFF9E30&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10