%0 Journal Article
%T Growth of InGaN and double heterojunction structure with InGaN back barrier<br>InGaN与采用InGaN作为背势垒的双异质结的生长
%A Shi Linyu
%A Zhang Jincheng
%A Wang Hao
%A Xue Junshuai
%A Ou Xinxiu
%A Fu Xiaofan
%A Chen Ke
%A Hao Yue
%A <br>史林玉
%A 张进城
%A 王昊
%A 薛军帅
%A 欧新秀
%A 付小凡
%A 陈珂
%A 郝跃
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 我们研究了采用MOCVD生长了InGaN与InGaN和AlGaN/GaN/InGaN/GaN双异质结。我们发现InGaN的质量会严重影响AlGaN/GaN/InGaN/GaN双异质结的特性。通过优化生长压力与生长温度得到高结晶质量的InGaN薄膜。由于InGaN的极化方向与AlGaN的相反，使得GaN层与InGaN层之间出现了一个高势垒，提高了载流子的限域性并且降低了缓冲层的漏电。采用InGaN作为背势垒的双异质结的DIBL仅为1.5 mV/V。当VDS= 10 V时，测量得到的关态漏电流为2.6 μA/mm。
%K InGaN back barrier
%K double hererojunction
%K carrier confinement<br>InGaN背势垒，双异质结，载流子限域性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4AF798C03700F911B32B606490A32EFC&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=59906B3B2830C2C5&sid=3702E75618BA974F&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0