%0 Journal Article
%T Influence of Etching Depth on Characteristics of GaN/Si Blue LEDs<br>刻蚀深度对Si衬底GaN基蓝光LED性能的影响
%A Zhang Ping
%A Liu Junlin
%A Zheng Changda
%A Jiang Fengyi
%A <br>张萍
%A 刘军林
%A 郑畅达
%A 江风益
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片.本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性.在切割成单个芯片之前,对尺寸为200μ×200μm的芯片分别通高达500mA的大电流在测试台上加速老化.结果表明:刻蚀深度为0.8和1.2μm的芯片相对于刻蚀深度为0.5μm的芯片,其正向电压更低且光强衰减更慢,抗静电性能随老化时间变得更稳定,刻蚀深度为0.8μm的芯片抗静电性能强于刻蚀深度为1.2μm的芯片.
%K blue LED
%K GaN
%K Si substrate
%K accelerated aging
%K etching
%K electrostatic discharge<br>蓝光LED
%K GaN
%K Si衬底
%K 快速老化
%K 刻蚀
%K 静电
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9B542C942D97C24B0740AAC24A6F8EF9&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=38B194292C032A66&sid=8DBE05486163BAB2&eid=90075EB19043D533&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=16