%0 Journal Article
%T Back-Gate Effect of SOI LDMOSFETs<br>SOI LDMOSFET的背栅特性
%A Bi Jinshun
%A Song Limei
%A Hai Chaohe
%A Han Zhengsheng
%A <br>毕津顺
%A 宋李梅
%A 海潮和
%A 韩郑生
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 在绝缘体上硅衬底上，制备了栅长为0.5μm的低势垒体接触结构和源体紧密接触结构的横向双扩散功率晶体管. 详细研究了器件的背栅特性. 背栅偏置电压对横向双扩散功率晶体管的前栅亚阈值特性、导通电阻和关态击穿特性均有明显影响. 相比于源体紧密接触结构，低势垒体接触结构横向双扩散功率晶体管的背栅效应更小，这是因为低势垒体接触结构更好地抑制了浮体效应和背栅沟道开启. 还介绍了一种绝缘体上硅横向双扩散功率晶体管的电路模型，其包含前栅沟道，背栅沟道和背栅偏置决定的串联电阻.
%K SOI
%K LDMOSFET
%K back-gate effect<br>绝缘体上硅
%K 横向双扩散功率晶体管
%K 背栅效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8C398A3185A061B6723C1B73C0455862&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=708DD6B15D2464E8&sid=31F0F67D06CBAD76&eid=7B2D57A5EE0FC8C7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13