%0 Journal Article
%T Mechanic-Electric Coupling Characteristics of a Resonant Tunneling Diode<br>共振隧穿二极管的力电耦合特性
%A Tong Zhaomin
%A Xue Chenyang
%A Lin Yijie
%A Chen Shang
%A <br>仝召民
%A 薛晨阳
%A 林沂杰
%A 陈尚
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 报道了微结构中共振隧穿二极管（RTD）的压阻效应. 分析并加工了四梁结构，其中RTD置于应力敏感区. 沿［110］晶向和［110］晶向的应力导致RTD电流-电压曲线的改变，即介观压阻变化，尤其是在微分负阻（NDR）区. 采用不同测试方法，研究了RTD的力电耦合特性，并获得了较相近的压阻系数为1E-9Pa-1.
%K piezoresistive effect
%K RTD
%K NDR
%K mechanic-electric coupling<br>压阻效应
%K RTD
%K NDR
%K 力电耦合
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=50ACEE723A1839C4DBEC154FCBE3D822&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=DA7B73AC3A57CF54&eid=E1E3BF53C3583450&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=17