%0 Journal Article
%T Analytical model for the dispersion of sub-threshold current in organic thin-film transistors<br>有机薄膜晶体管中亚阈值电流分散的模型分析
%A Chen Yingping
%A Shang Liwei
%A Ji Zhuoyu
%A Wang Hong
%A Han Maixing
%A Liu Xin
%A Liu Ming
%A <br>陈映平
%A 商立伟
%A 姬濯宇
%A 王宏
%A 韩买兴
%A 刘欣
%A 刘明
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 本文提出了一个等效电路模型以分析在有机薄膜晶体管中引起亚阈值电流漂移(也叫零电流点漂移)现象的原因. 该等效电路模型基于Start-HSPICE中的Level 61无定形硅薄膜晶体管器件模型. 仿真结果表明零电流点漂移的原因可以归结于两点: 接触电阻和栅电阻. 更进一步发现, 减小接触电阻和增大栅电阻可以有效抑制零电流点漂移现象. 如果接触电阻可以减到0, 则所有的零电流点交于原点, 此时没有漂移. 增大栅电阻对于抑制零电流点漂移和栅漏电也是有好处的. 当栅电阻分别为17 MΩ和276 MΩ时, 零电流点坐标值的方差分别为0.0057和接近于0.
%K OTFT
%K sub-threshold current
%K level 61 RPI a-Si TFT model
%K equivalent circuit model
%K HSPICE<br>有机薄膜晶体管
%K 等效电路模型
%K 亚阈值电流
%K 分散性
%K 接触电阻
%K HSPICE
%K 零电流
%K 晶体管模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A0C0AC355ED3D77498A60E756978AE27&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=708DD6B15D2464E8&sid=301B834FAE00E7BD&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=27