%0 Journal Article
%T A new high voltage SOI LDMOS with triple RESURF structure<br>一种新型高压Triple RESURF SOI LDMOS
%A Hu Xiarong
%A Zhang Bo
%A Luo Xiaorong
%A Yao Guoliang
%A Chen Xi
%A Li Zhaoji
%A <br>胡夏融
%A 张波
%A 罗小蓉
%A 姚国亮
%A 陈曦
%A 李肇基
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 提出了一种新型Triple RESURF SOI LDMOS结构，该结构有一个Ｐ型埋层。首先，耗尽层能够在Ｐ型埋层的上下同时扩展与Triple RESURF机理相同，使得漂移区浓度提高，导通电阻降低。其次，当漂移区浓度较高时，Ｐ型埋层起到了降低体内电场的作用，并能够提高漏端纵向电场使得其电场分布更加均匀从而耐压增加。Triple RESURF结构在SOI LDMOS中首次提出。在６微米厚的SOI层以及２微米厚的埋氧层中获得了耐压300V的Triple RESURF SOI LDMOS，其导通电阻从Double RESURF SOI LDMOS的17.2mΩ.cm2降低到13.8mΩ.cm2。当外延层厚度增加时, Triple RESURF结构的效果更加明显,在相同耐压下，相对于Double RESURF,该结构能够在400V和550V的SOI LDMOS中分别降低29%和38%的导通电阻。
%K SOI LDMOS
%K double resurf
%K triple resurf
%K REBULF
%K breakdown voltage<br>RESURF结构
%K SOI器件
%K LDMOS
%K 高压
%K 电场分布
%K 掺杂浓度
%K MOS结构
%K 低导通电阻
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E83E7161F8D6980D722949E82FDAF0D6&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=8352FD18A3B6FAE3&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=10