%0 Journal Article
%T Analytical Model and Optimization of Bulk-Silicon Surface Implanted LDMOS with p Buried Layer<br>带p埋层表面注入硅基LDMOS模型与优化
%A Li Qi
%A Zhang Bo
%A Li Zhaoji
%A <br>李琦
%A 张波
%A 李肇基
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 提出一种带p埋层的表面注入硅基LDMOS高压器件新结构,称为BSI LDMOS(surface implanted LDMOS with p buried layer).通过表面注入n 薄层降低导通电阻,p埋层不但改善横向表面电场分布,提高击穿电压,而且增大漂移区优化浓度.求解电势的二维Poisson方程,获得表面电场和击穿电压的解析式,研究结构参数对表面电场和击穿电压的影响,数值与解析结果吻合较好.结果表明:与常规结构相比较,BSI LDMOS大大改善了击穿电压和导通电阻的折衷关系.
%K p buried layer
%K surface implanted
%K surface electrical field
%K breakdown voltage
%K model<br>p埋层
%K 表面注入
%K 表面电场
%K 击穿电压
%K 模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B8EF0DA443DCED32&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=5D311CA918CA9A03&sid=A1CD1DC26CC35415&eid=D845E8AF37655FBD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=12