%0 Journal Article
%T 80dB动态范围，用于低中频结构GSM接收机的ΣΔ调制器
%A 杨培
%A 殷秀梅
%A 杨华中
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度ΣΔ调制器.该调制器采用3阶单环单比特的结构，电路使用全差分开关电容结构实现，并在0.6μm 2P2M CMOS工艺下流片验证.调制器使用全差分±1V参考电压，工作在26MHz采样频率，过采样率为64.测试结果表明，在200kHz信号带宽内，调制器达到80.6dB动态范围，峰值SNDR达到71.8dB，峰值SNR达到73.9dB.整个调制器电源电压为5V，静态功耗为15mW.
%K ΣΔ调制器
%K 模数转换
%K 开关电容
%K 运算放大器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=28A270A318BC5E7A4D326EC79B5F5561&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=0B39A22176CE99FB&sid=80BD0A2EF8664214&eid=4D7D059FFBF006B9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11