%0 Journal Article
%T 0.18μm混合信号RFCMOS工艺中新型低触发电压双向SCR 静电防护器件的设计
%A 朱科翰
%A 于宗光
%A 董树荣
%A 韩雁
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 提出了一类新型片上SCR静电放电防护器件，此类器件用于保护芯片双向抗击静电应力.比较和分析了四种双向SCR器件的触发电压.其中采用嵌入pMOS管或nMOS管的双向SCR器件结构具有可调触发电压，低漏电流（~pA）和开启速度快的骤回I-V特性，并且没有闩锁问题.该器件的抗ESD能力可达~94V/μm.此类新型ESD防护器件具有面积小、寄生效应小的特点.
%K 静电放电
%K 双向SCR
%K 骤回
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FF6553CD7A638295193603F142F5861F&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=708DD6B15D2464E8&sid=83988AB6331F63A8&eid=BF8433C728988BC0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7