%0 Journal Article
%T A New Structural IGBT-- an Internal Transparent Collector IGBT and Its Simulation<br>一种新结构IGBT--内透明集电极IGBT的仿真
%A Wang Hao
%A Hu Dongqing
%A Wu Yu
%A Zhou Wending
%A Kang Baowei
%A <br>王浩
%A 胡冬青
%A 吴郁
%A 周文定
%A 亢宝位
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 对新近提出的一种新结构的IGBT--内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同时又避免了低压透明集电极IGBT制造过程中超薄片操作的技术难题.对器件的温度特性和关断特性进行了仿真研究,并与现行PT-IGBT和FS-IGBT进行了比较.仿真结果表明,通过合理调整内透明集电极IGBT的参数组合,可以使其在具有通态压降正温度系数的同时,又具有较快的关断速度,实现透明集电极IGBT的优良性能.
%K internal transparent collector
%K PT-IGBT
%K NPT-IGBT
%K high recombination region<br>内透明集电极
%K PT-IGBT
%K NPT-IGBT
%K 高复合层
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=31E6E92BB547EF733772BD3F572A72E3&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=0B39A22176CE99FB&sid=375BEEEA164CFE59&eid=381FB4265090A8E0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4