%0 Journal Article
%T 一种基于亚阈值MOSFET的140mV 0.8μA电压基准
%A 杨淼
%A 孙伟锋
%A 徐申
%A 王益峰
%A 陆生礼
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X ——本文提出了一种基于亚阈值MOSFET的CMOS电压基准电路,它采用了与温度相关的阈值电压、峰值电流镜和亚阈值技术。此基准结构只由MOS晶体管和电阻组成,已经在SMIC 0.13μm CMOS工艺线上通过了流片验证。实验结果表明,基准电压输出在电源电压从0.5V变化到1.2V时具有2mV的变化,温度从-20℃变化到120℃时具有0.8mV的变化。该电路在室温时输出140mV,并且消耗电源电流仅为0.8uA,芯片面积占有0.019mm2。
%K 亚阈值
%K 峰值电流镜
%K 低电压
%K 低功耗
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A0C0AC355ED3D774F09F344D44D1943F&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=708DD6B15D2464E8&sid=8A87599C1C40F274&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13