%0 Journal Article
%T An asymmetrical sensing scheme for 1T1C FRAM to increase the sense margin<br>用于1T1C型铁电存储器的一种可提高分辨窗口的非对称型分辨结构
%A Jia Ze
%A Zou Zhongren
%A Ren Tianling
%A Chen Hongyi
%A <br>贾泽
%A 邹重人
%A 任天令
%A 陈弘毅
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文提出了一种用于单管单电容型铁电存储器的新型非对称信号电流模分辨放大结构，该结构的创新点在于非对称的输入管及在灵敏放大器的参考信号端增加的NMOS反馈管。与参考文献8]中的传统对称型电流模分辨放大结构相比，该结构可将读出电流的分辨窗口提高53.9%并将数据分辨放大过程的功耗降低14.1%，而分辨放大电路部分的面积仅因此增加7.89%。采用本文所提非对称结构的实验型原型样片基于0.35微米3层金属工艺已获得流片及功能验证成功。
%K FRAM
%K sense margin
%K current-based sense amplifier
%K asymmetrical<br>铁电存储器
%K 分辨窗口
%K 电流模灵敏放大器
%K 非对称
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=58D902E58DB1DD4B0E32A3772893AD4E&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=708DD6B15D2464E8&sid=42DB7C7790B064F7&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0