%0 Journal Article
%T A fast transient response low dropout regulator with current control methodology<br>基于电流环路控制方法的快速响应LDO
%A Ma Zhuo
%A Guo Yang
%A Duan Zhikui
%A Xie Lunguo
%A Chen Jihua
%A Yu Jinshan
%A <br>马卓
%A 郭阳
%A 段志奎
%A 谢伦国
%A 陈吉华
%A 余金山
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X LDO电路的瞬态响应能力是评价LDO性能的一个重要指标。本文借鉴电荷泵式锁相环的环路控制方法，提出了一种基于电流控制环路的LDO结构，将典型LDO电路中的电压比较改为电流比较，利用跨导放大器和环路滤波器产生功率管的控制栅压，使得环路具有优化的阻尼因子ζ和固有频率ωn，有效提高了LDO环路的瞬态响应能力，并且输出电压可以低至1V以下，且不受基准电压的限制。基于0.13μm CMOS工艺的实现结果表明，在使用1μF去耦电容，LDO输出1.0V的情况下，负载100μA→100mA瞬态变化时，输出超调5.11mV，稳定输出的压降4.25mV，稳定时间8.2μs，而负载100mA→100μA时，输出超调6.21mV，稳定输出的压降4.25mV，稳定时间23.3μs。结果表明，该电路各项性能指标均有明显的提高，FOM指数达到0.0097。
%K current contol loop
%K transient response
%K LDO
%K damping coefficient
%K natural resonant frequency<br>电流控制环路，瞬态响应，LDO，阻尼因子，固有频率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C1699E4EE97770228D1BEDAE959AED75&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=5D311CA918CA9A03&sid=A975ED3C1B77866A&eid=DF92D298D3FF1E6E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=5