%0 Journal Article
%T Growth of 0.55eV-GaInAsSb Quaternary Alloy Films for a Thermophotovoltaic Device by Liquid Phase Epitaxy<br>液相外延法制备0.55eV-GaInAsSb四元合金薄膜及其在热光伏器件中的应用
%A Liu Lei
%A Chen Nuofu
%A Yang Xiaoli
%A Wang Yu
%A Gao Fubao
%A <br>刘磊
%A 陈诺夫
%A 杨晓丽
%A 汪宇
%A 高福宝
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 利用液相外延法(LPE)在n型GaSb衬底上成功制备了用于热光伏电池的Ga1-xInxAsySb1-y四元合金薄膜.通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析评价.x射线能谱(EDAX)分析表明四元合金薄膜的成分为x=0.2,y=0.17.红外傅里叶变换透射谱分析表明,其室温下的吸收截止波长为2.256μm,对应禁带宽度为0.55eV.室温下的霍尔测试结果表明外延膜具有良好的电学性能,其非故意掺杂的薄膜表现为P型,载流子浓度为6.1×1016 cm-3,迁移率为512cm2/(V·s).又进一步利用Ga1-xInxAsySb1-y薄膜制备了不同结构的GaInAsSb基热光伏电池,光谱响应测试表明其量子效率可达60%.
%K GaInAsSb
%K LPE
%K thermophotovoltaic
%K spectrum response<br>GaInAsSb
%K 液相外延
%K 热光伏
%K 光谱响应
%K GaInAsSb
%K LPE
%K thermophotovoltaic
%K spectrum
%K response
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=22EAAFE3761B529A1EBB8D2AB7153469&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=A35E3FD659BF2630&eid=D45398EB9ED445AA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13