%0 Journal Article
%T Analysis and Performance of a High Responsivity GaN Schottky-Barrier Ultraviolet Detector<br>高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析
%A Liu Zongshun
%A Zhao Degang
%A Zhu Jianjun
%A Zhang Shuming
%A Duan Lihong
%A Wang Hai
%A Shi Yongsheng
%A Liu Wenbao
%A Zhang Shuang
%A Jiang Desheng
%A Yang Hui
%A <br>刘宗顺
%A 赵德刚
%A 朱建军
%A 张书明
%A 段俐宏
%A 王海
%A 史永生
%A 刘文宝
%A 张爽
%A 江德生
%A 杨辉
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 制作了反向饱和电流为5.5×10-14 A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010 cm-2.
%K Schottky barrier
%K ultraviolet detector
%K GaN
%K open circuit voltage
%K near-band-edge
%K surface states<br>肖特基势垒
%K 紫外探测器
%K GaN
%K 开路电压
%K 禁带边
%K 表面态
%K 高响应度
%K 肖特基势垒
%K 紫外探测器
%K 性能
%K 分析
%K Detector
%K Responsivity
%K High
%K Performance
%K 密度变化
%K 表面
%K 估算
%K 效应
%K 电压变化
%K 近似相等
%K 光电流
%K 开路电压
%K 光照射
%K 电压比
%K 表现
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F76E16D056BC40E7&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=E158A972A605785F&sid=106103EB0EA31435&eid=6341CCF6B158C5F9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=9