%0 Journal Article
%T Design and Fabrication of Excellent Ultra-Broad Digital Attenuator Chips<br>高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现
%A Wang Huizhi
%A Li Fuxiao
%A <br>王会智
%A 李拂晓
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 介绍了一种高性能50MHz～20GHz的超宽带5 bit GaAs数字衰减器的设计、制造和测试结果,并着重介绍实现超宽带的设计.该衰减器通过标准0.5μm离子注入工艺实现.最终的单片衰减器性能如下:插入损耗＜5dB;最大衰减量＞31dB;两端口所有态的电压驻波比＜1.5;所有态衰减精度＜±0.3dB;相位变化量(相对于基态)在-5°～20°之间;1dB压缩点输入功率22dBm(10GHz).
%K ultra-broad band
%K GaAs
%K digital attenuator
%K MESFET<br>超宽带
%K GaAs
%K 数字衰减器
%K MESFET
%K 高性能
%K 超宽带
%K 数字衰减器
%K 设计
%K Chips
%K Attenuator
%K Digital
%K Fabrication
%K 输入功率
%K 压缩
%K 基态
%K 相位变化
%K 衰减精度
%K 电压驻波比
%K 端口
%K 衰减量
%K 插入损耗
%K 离子注入工艺
%K 标准
%K 测试结果
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=83761DA302F4A604&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=B31275AF3241DB2D&sid=D3CBA54FACB30BD9&eid=A91C28383511878F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4