%0 Journal Article
%T RF-CMOS Modeling:RF-MOSFET Modeling for Low Power Applications<br>RF-CMOS建模:面向低功耗应用的RF-MOSFET模型开发
%A Liu Jun
%A Sun Lingling
%A Xu Xiaojun
%A <br>刘军
%A 孙玲玲
%A 徐晓俊
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 在EKVv2.6本征模型基础上发展出一种新的、可用于低压低功耗CMOS RFIC CAD 的RF-MOSFET模型,模型对栅氧化层寄生电阻以及有损基底损耗进行了考虑.在对晶体管零偏和线性工作态下等效电路进行分析的基础上,开发出新的解析提取RF-MOSFET器件射频寄生参数的算法.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一共源连接、8栅指(每指尺寸长L=0.24μm,宽W=9.58μm)n-MOSFET 建模中,DC高达40GHz测量和仿真所得S参数对比结果验证了模型的良好精度.
%K low voltage low power
%K RF-MOSFET
%K modeling
%K EKVv2
%K 6
%K RF parasitic
%K analytical extraction<br>低压低功耗
%K RF-MOSFET
%K 建模
%K EKVv2.6
%K 射频寄生
%K 解析提取
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=21D73E257FEBFAB8&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=6DE26652A1045643&eid=205BE674D84A456D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=16